Memória Samsung Ddr4, 8 Gb 2666 Mgz, 260 Pin, Sodimm, Slim
Descripción
Memoria Samsung DRAM 8 Gb, 2.666 MGz, 1Rx8, DDR4
Vendedor: TIENDANOSTRA
Disponibilidad: INMEDIATA
Solución por módulos de memoria de Samsung están diseñados para una amplia gama de aplicaciones para ofrecer el mejor rendimiento con bajos requisitos de energía.
Características:
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- Tipo de Memoria interna DDR: DDR4
- Dimm Type SODIMM
- Memoria interna (Density) 8 GB
- Diseño de Memoria (Rank x Org) 1R x 8
- Velocidad (Speed) 2666 Mbps(Mhz)
- Voltage 1.2 V
- Forma de Factor de Memória No. of Pin 260 SO-DIMM
- Component Composition (1G x 8) x 8
- Componente para: Portátil,
- Latencia CAS: 19,
- Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
- Ancho69,6 mm
- Altura30 mm